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场效应分类：场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源析（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极、集电极、发射极。场效应管的S极与晶体管的e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。


上图：不同磁路与步距之间的关系中图为相间磁路，定子节距相等，主极数合计为mP个，相邻A相和B相之间的节距与相内磁路节距相同，为360°/mP。A相激磁，与其极性相反的转子齿相对吸引。其次给B相激磁产生与A相相同的极性，吸引相应的转子齿。为便于理解，将多齿结构简化为单齿结构。此时，与A相所对转子齿和B相将相对的转子齿之间的节距为360°（n±1/2）/Nr（n整数），。故步距角为和之差：将θs=180°/PNr代入上式得：如相间磁路为三相，令P=3，则：Nr=m（3n±1）三相时，主磁极为3的倍数， 简单的三相3主极时，m=1变成下式：Nr=3n±1下图为n=3，Nr=8的结构图，用上式Nr=3n±1和θs=180°/PNr，可计算求得Nr和θs，如下表所示。