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正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，3A的 不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。P沟道MOS管防反接保护电路电路如示因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜，选NMOS。


下面讨论三相电机的转矩特性，由于其电流波形近似为正弦波，现将细分驱动时的转矩与两相电机比较来看。如增加细分的细分数，电流波形能近似正弦波，磁通的高次谐波的影响更明显。两相电机细分时的转矩磁通是不含高次谐波的正弦波，如式前一篇中的T2=IΦsinδ所示。下图是对其磁通含三次谐波时的细分两相电机与三相电机转矩进行比较。三相电机的各相转矩与两相电机的曲线相同，用下图式1表示。交链磁通能用基波与奇数次高次谐波之和表示（偶数次的高次谐波与线圈交链时会抵消，不会变成交链磁通），基波与三次谐波之和如下图所示。