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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。


对于一个具有电阻、电感、电容的交流电路中，交流电源两端的电压一般不和它输出的电流同相位。如果调节电路的参数或者电源频率使它们同相位，这时电路就发生了谐振现象。按照发生谐振现象的电路不同，可以分为串联谐振和并联谐振。串联谐振在R、L、C串联电路中，但满足感抗XL等于容抗XC时，即电源的输出电压和输出电流同相位，就会发生谐振现象。因为发生串联电路中，所以也称为串联谐振。为了更加深入了解串联谐振的现象，在matlab/simulink中搭建交流串联R、L、C电路。