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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。


另外，SSR的性质还与接通时的电流上升率di/dt密切相关。di/dt超过某一值会使SSR的可控硅输出器件损坏。为避免上述浪涌电流对SSR的损坏，可不同程度的降额使用SSR，必要时，可在负载电路中串联电阻，将浪涌电流和可能发生的短路电流限制在SSR所允许的过负载范围内，也可利用快速熔断的丝来保护SSR。对于SSR，特别对交流SSR，电压指数上升率是一个重要参数。这是因为当SSR关断时，若输出端电压上升率超过SSR规定的dv/dt，可能使SSR误接通，严重时会造成SSR的损坏一般